Unternehmensnachrichten über Wichtige Fortschritte bei der Lichtwirksamkeit von ultravioletten Leuchtdioden

Wichtige Fortschritte bei der Lichtwirksamkeit von ultravioletten Leuchtdioden

Durch die Verbesserung der Materialkristallqualität, das Entwerfen und epitaxiell wachsen einer neuen aktiven Region Quantengrube Struktur,und die monolithische Integration eines Fotomultiplier-Wandlers in die traditionelle LED-Gerätestruktur, wurde die elektrooptische Umwandlungseffizienz der Halbleiter-Tief-Ultraviolett-LED (DUV-LED) mit einer Wellenlänge von 280 nm auf mehr als 20% erhöht.

UV-LEDs sind eine umweltfreundliche und energiesparende Alternative zu Quecksilberlampen.Durch Veränderung des Aluminiumgehalts im Quantengrube von Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN)UV-LEDs können den Spektralbereich von 210 nm bis 360 nm abdecken.UV-LEDs können aufgrund ihrer geringen Größe auch in anderen Anwendungen verwendet werden, hohe Effizienz und kontinuierlich einstellbare Wellenlänge, was sie marktfähiger macht.die Marktgröße von UV-LEDs wird von 500 Mio. USD im Jahr 2019 auf 1 Mrd. USD im Jahr 2023 steigen, oder sogar höher.

Die Studie ergab, dass wir verschiedene innovative Ansätze zur Verbesserung der Effizienz anwenden können, darunter vor allem: Verringerung von Defekten und Verrutschungen in der Epitaxialschicht;Verbesserung der Dopingwirksamkeit von Typ n und Typ p zur Bildung eines leitfähigen Films zur Verbesserung der Effizienz der Strominspritzung■ die Konstruktion von Geräten zur Verbesserung der Effizienz der Lichtgewinnung und -umwandlung sowie die Verwendung eines neuartigen AlGaN-basierten Quantenbrunnens und einer Barriere im Bereich der aktiven Lichtemission.

Wir haben die Heterostrukturen unserer UV-LEDs auf Saphir, einem kostengünstigen transparenten Substrat, angebaut. Wir vermieden die Verwendung von Einkristall-AlN-Substraten, weil sie zu teuer sind.Der Nachteil von Saphir ist, dass es ein Gitter und eine thermische Ausdehnung Mismatch mit Nitrid hat, was zu einer schlechten Kristallqualität führt und nicht zur strahlungsbedingten Rekombination von Trägern in der aktiven Region führt.Wir wandten uns an gestaltete Saphir-Substrate mit pyramidenförmigen Strukturen an der Oberfläche und wuchsen epitaxiell hochwertige AlN-Filme mit seitlichem ÜberwuchsAuf der Grundlage der halben Breite der Röntgendiffraktionsrutschkurve schlossen wir daraus, dass die Verrutschungsdichte des Films weniger als 3 x 108 cm2 beträgt.die zeigten, dass die Epilagenspannung vollständig freigesetzt wurdeAuf der Grundlage dieser Ergebnisse,Wir wissen, dass die Verringerung der Dislokationen die nicht-strahlende Rekombination in der aktiven Region von UV-LEDs unterdrücken und letztendlich die Wirksamkeit der Strahlungsrekombination dieser Geräte verbessern kann.